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全球半导体市场形势受到上半年较高库存的影响，今年上半年晶圆代工普遍表现不佳；不过，特色工艺纯晶圆代工厂华虹半导体采用灵活的销售策略，以及部分特色工艺的优势，今年第二季度及上半年销售额同比均有所成长，现实持续增长。
8月6日，华虹半导体发布公告，今年第二季度销售收入2.3亿美元，同比持平，环比增长4.2%；毛利率为31.0%，同比下降2.6个百分点，环比下降1.2个百分点；期内溢利4,990万美元，同比上升8.7%，环比上升7.0%。
同时，华虹半导体预计今年第三季度销售收入约2.38亿美元左右；预计毛利率约31%左右。
华虹半导体总裁兼执行董事唐均君对第二季度的业绩评论道：尽管全球半导体市场持续放缓，华虹半导体不断锐意进取，致力于成为更强、更优的企业，我们第二季度的销售收入为2.3亿美元，同比持平，环比增长4.2%。
尽管同时面临来自市场、技术、客户以及即将投入使用的新12英寸晶圆厂等诸多挑战，但我们的倾力付出得到了回报。通过团队的不懈努力和客户的鼎力支持，我们的整体产能利用率已经回升到了90%以上，我们非常有信心2019年下半年的表现将比上半年更为强劲。
此外，华虹半导体300mm晶圆项目正按计划平稳推进，厂房和洁净室已经完成建设。同时，第一批1万片产能所需的大部分机器设备已经搬入，目前正处于安装和测试阶段。无锡工厂将于2019年第四季度开始试生产300mm晶圆，公司工程师团队和客户正密切合作开发几个新产品，为初期爬坡试生产作准备。
具体来看，上半年，华虹半导体分立器件整体需求保持稳定，公司DT（深槽）-SJNFET产能创新高；同时，主要源自产品结构的优化，尤其是更多的高压功率分立器件，如DT（深槽）-SJNFET及IGBT产能配比的增加，上半年平均售价环比与同比均有所增加。
同时，因应未来智能控制应用趋势造成MCU需求的增加，华虹半导体持续推动对嵌入式非易失性存储器技术的优化与业务拓展；公司今年上半年嵌入式闪存MCU出货及平均单价同比均增长；同时，0.11微米嵌入式闪存MCUNTO（新产品）数量也持续强劲增长。
此外，华虹无锡300mm晶圆制造工厂于去年三月动工后进展顺利，今年第二季度洁净室已经通过认证，大部分的设备已于第二季移入装机。55纳米逻辑与射频CMOS技术、90纳米嵌入式闪存技术与90纳米BCD技术前期研发顺利；根据市场研究与技术评估情况，通过了开发12英寸功率器件工艺方案，确定了华虹无锡12英寸项目IC+Power的规划。12英寸功率器件工艺、产能与技术的提升可使公司更好的服务国内与海外客户，扩大公司在功率器件，特别是中高压功率器件的行业领先优势。
展望未来，华虹半导体表示，公司200mm晶圆的嵌入式闪存MCU、射频IC、功率分立器件的业务持续发展，以及300mm晶圆制造工厂的55纳米逻辑与射频CMOS技术将率先在第四季度进入量产。我们将继续实施200mm及300mm晶圆差异化技术的企业发展策略，能够为客户提供更优质的服务。
