

SK 海力士凭借 AI 市场需求激增的高带宽内存(HBM)市场主导地位,今年第三季度(4-6 月)再度刷新季度历史最高业绩,同时展现出在崛起为下一代竞争焦点的 6 代 HBM(HBM4)市场中继续保持主导权的信心。 据悉,SK 海力士满足了 “全球 HBM 巨头” 英伟达提出的所有性能要求,率先完成 HBM4 供应谈判,计划从今年第四季度起正式出货。该公司不仅明确 HBM,明年的 DRAM 和 NAND 闪存供应量也已实质 “售罄”,并表示存储半导体市场已进入超级繁荣期。
SK 海力士 29 日公告称,经初步统计,今年第三季度合并基准营业利润达 11.3834 万亿韩元,同比增长 62%。第三季度销售额同比增长约 39%,达到 24.4489 万亿韩元。该公司表示,“随着客户加大 AI 基础设施投资,整体存储需求激增”,“通过扩大 HBM3E(5 代 HBM)12 层堆叠产品及服务器用 DDR5 等高附加值产品系列的销售,再次超越上一季度创下的历史最佳业绩”。
SK 海力士也展现出对明年有望成为最大竞争战场的 HBM4 市场的信心。目前除 SK 海力士外,三星电子、美光等企业正与英伟达推进 HBM4 供应的质量认证工作。尽管业界担忧竞争对手入局会导致 SK 海力士的市场份额下滑,但分析认为,SK 海力士已领先竞争对手,提前锁定了 HBM4 的供应量。该公司解释道,“已与主要客户完成明年 HBM 供应协商”,“9 月宣布开发完成并建成量产体系的 HBM4 将从第四季度开始出货,明年计划正式扩大销售”。
业界普遍认为,受通用存储半导体价格上涨趋势带动,第四季度 SK 海力士有望再度刷新历史最高业绩。SK 海力士在第三季度业绩电话会议上预测,“随着 AI 数据中心投资扩大,第四季度公司 DRAM 和 NAND 出货量将环比增长一位数以上”。LS 证券研究员车容浩表示,“通用存储上涨周期始于 9 月中旬,对第三季度业绩影响有限”,“业绩将从第四季度开始正式体现,预计将再次刷新历史最高纪录”。
